livejurnal69 - peneliti NIST tumbuh kawat nano dibuat dari semikonduktor - paduan gallium nitride - dengan mendepositokan atom lapisan-oleh-lapisan pada kristal silikon di bawah kondisi vakum tinggi. NIST memiliki kemampuan luar biasa untuk menghasilkan kawat nano tersebut tanpa menggunakan katalis logam, sehingga meningkatkan luminescence dan mengurangi cacat. nanowires NIST juga memiliki kualitas yang sangat baik faktor mekanis. Percobaan terbaru, dijelaskan dalam Bahan Advanced Fungsional, * mempertahankan kemurnian dan bebas cacat struktur kristal kawat nano NIST sementara mengontrol diameter dan penempatan yang lebih baik daripada telah dilaporkan oleh kelompok lain untuk nanowires katalis berbasis. kontrol tepat diameter dan penempatan sangat penting sebelum nanowires dapat digunakan secara luas.
Trik kunci dalam teknik NIST adalah untuk menumbuhkan kabel melalui lubang-lubang didefinisikan secara tegas dalam topeng stensil seperti meliputi wafer silikon. The NIST nanowires ditumbuhkan melalui bukaan di masker silikon nitrida berpola. Sekitar 30.000 nanowires ditanam per wafer 76-milimeter-wide. Lokasi nanowire teknik menguasai hampir sempurna. Wires tumbuh seragam melalui bukaan paling dan tidak hadir pada sebagian besar permukaan topeng.
bukaan Mask berkisar 3-100 nanometer (nm) luas, dengan penambahan sebesar 100 nm. Dalam setiap pembukaan 300 nm atau 400 nm, sebuah nanowire tunggal tumbuh, dengan bentuk heksagonal well-formed dan tip dengan enam sisi simetris. bukaan yang lebih besar hasil yang lebih bervariasi. Bukaan 400 nm hingga 900 nm yang dihasilkan kawat nano-kristal tunggal dengan puncak multifaset. Struktur tumbuh di bukaan 1.000 nm tampak terjebak beberapa kabel bersama-sama. Semua nanowires tumbuh menjadi sekitar 1.000 nm tinggi selama tiga hari.
NIST peneliti dianalisis mikrograf untuk memverifikasi keseragaman bentuk dan ukuran nanowire statistik. Analisis menunjukkan daerah hampir seragam dari kawat dari diameter yang sama serta bentuk heksagonal hampir sempurna.
nanowires Tumbuh pada silikon adalah salah satu pendekatan NIST peneliti mengeksplorasi untuk membuat "nanowires pada" perangkat chip. Meskipun suhu pertumbuhan terlalu tinggi - lebih dari 800 derajat Celsius - untuk sirkuit silikon menoleransi, mungkin ada cara untuk menumbuhkan kawat nano pertama dan kemudian melindungi mereka selama fabrikasi sirkuit, penulis utama Bertness kata Kris. Penelitian ini sebagian didukung oleh Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) Pusat pada NanoscaleScience dan Teknologi untuk Terpadu Micro / Nano-Elektromekanik Transducers (IMINT) di Universitas Colorado di Boulder.
Trik kunci dalam teknik NIST adalah untuk menumbuhkan kabel melalui lubang-lubang didefinisikan secara tegas dalam topeng stensil seperti meliputi wafer silikon. The NIST nanowires ditumbuhkan melalui bukaan di masker silikon nitrida berpola. Sekitar 30.000 nanowires ditanam per wafer 76-milimeter-wide. Lokasi nanowire teknik menguasai hampir sempurna. Wires tumbuh seragam melalui bukaan paling dan tidak hadir pada sebagian besar permukaan topeng.
bukaan Mask berkisar 3-100 nanometer (nm) luas, dengan penambahan sebesar 100 nm. Dalam setiap pembukaan 300 nm atau 400 nm, sebuah nanowire tunggal tumbuh, dengan bentuk heksagonal well-formed dan tip dengan enam sisi simetris. bukaan yang lebih besar hasil yang lebih bervariasi. Bukaan 400 nm hingga 900 nm yang dihasilkan kawat nano-kristal tunggal dengan puncak multifaset. Struktur tumbuh di bukaan 1.000 nm tampak terjebak beberapa kabel bersama-sama. Semua nanowires tumbuh menjadi sekitar 1.000 nm tinggi selama tiga hari.
NIST peneliti dianalisis mikrograf untuk memverifikasi keseragaman bentuk dan ukuran nanowire statistik. Analisis menunjukkan daerah hampir seragam dari kawat dari diameter yang sama serta bentuk heksagonal hampir sempurna.
nanowires Tumbuh pada silikon adalah salah satu pendekatan NIST peneliti mengeksplorasi untuk membuat "nanowires pada" perangkat chip. Meskipun suhu pertumbuhan terlalu tinggi - lebih dari 800 derajat Celsius - untuk sirkuit silikon menoleransi, mungkin ada cara untuk menumbuhkan kawat nano pertama dan kemudian melindungi mereka selama fabrikasi sirkuit, penulis utama Bertness kata Kris. Penelitian ini sebagian didukung oleh Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) Pusat pada NanoscaleScience dan Teknologi untuk Terpadu Micro / Nano-Elektromekanik Transducers (IMINT) di Universitas Colorado di Boulder.
0 komentar:
Posting Komentar
Sahabat yang budiman jangan lupa Setelah membaca untuk memberikan komentar.Jika Sobat Suka Akan Artikelnya Mohon Like Google +1 nya.
Komentar yang berbau sara,fornografi,menghina salah satu kelompok,suku dan agama serta yang bersifat SPAM dan LINK karena akan kami hapus.Terima Kasih Atas Pengertiannya